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650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现超大功率密度

新闻 2018-06-22

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TO-263-3(D2PAK)封装650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT

独具特色的表面贴装超大功率密度650V IGBT


D2PAK封装实现超大功率密度

英飞凌推出的超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术可进一步缩小芯片尺寸、提高功率密度。英飞凌率先将40A 650V IGBT和40A二极管封装在D2PAK,相比于业内最高水平30A双芯片IGBT产品,其额定电流值提高了25%。现在,可以升级选用表面贴装设计,进一步提高输出功率Pout。


采用D2PAK封装的超大功率密度IGBT的适用范围

›设计升级,将输出功率提高25–30%     ›减少IGBT并联     ›D2PAK封装IGBT电流高达40A可以替代D3PAK或TO-247


降低杂散电感

D2PAK封装电感较低(5nH),可充分利用超快TRENCHSTOP™5 IGBT技术的优点——IGBT可在更高开关频率下工作,从而降低开关损耗,减少EMI干扰。此外,较低杂散电感有利于降低关断尖峰电压,因此,IGBT关断时承受的应力较小,这有助于提高可靠性,延长使用寿命。


关键特性

›采用D2PAK封装的超大功率密度650V IGBT     ›业内首家将40A 650V IGBT和40A二极管封装在D2PAK     ›相比于其他竞争对手,D2PAK封装最大电流值提高25%


主要优势

›采用D2PAK封装,实现大功率设计     ›升级现有设计,提高输出功率     ›减少并联,提高系统可靠性,降低设计复杂度     ›减小PCB尺寸,实现更紧凑的系统设计,减轻重量


业内首家将40A IGBT和40A二极管封装在D2PAK

安装在IMS(绝缘金属基板)上的TRENCHSTOP™ 5 D2PAK在热循环测试中表现出较低壳温Tcase

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TRENCHSTOP™ 5 D2PAK可降低杂散电感,从而降低VCEPEAK

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对比采用相同芯片但是不同类型封装(D2PAK或TO-247-3)的能效,D2PAK封装得益于电感较低,可大幅降低开关损耗。利用半桥拓扑逆变焊机执行热循环测试,对40A 650V

TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT和40A 650V Rapid 1二极管组合的D2PAK封装和TO-247-3封装进行性能比较,试验表明,D²PAK封装的壳温Tcase降低了约5°C到10°C,这证明,安装在IMS上的较小尺寸D2PAK可以有效替代采用绝缘箔的TO-247。


TO-263-3(D2PAK)封装650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT产品组合

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